Durante l’evento Snapdragon tenutosi durante le scorse ore a New York, Qualcomm e Samsung hanno confermato la collaborazione per la produzione di chip hardware di nuova generazione.
Frutto di questa è la nuovissima CPU Qualcomm Snapdragon 835, la prima costruita con il processo produttivo a 10-nanometri FinFET di Samsung.
Un annuncio che concretizza quanto reso pubblico lo scorso ottobre, periodo in cui Qualcomm sottolineò di essere la prima azienda ad aver avviato la produzione di massa di hardware con processo FinFET a 10-nm. All’atto pratico, questo passo avanti permette di ottenere rispetto alla tecnologia di produzione precedente FinFET a 14-nm – a detta di Samsung e Qualcomm – fino al 30% in più di efficienza, con picchi del 27% in più in termini di performance e del 40% in più in termini di autonomia.
Ci si aspetta che il nuovo processo [produttivo] a 10nm porti con sé una maggiore efficienza energetica ed un aumento delle prestazioni, permettendoci contemporaneamente di aggiungere nuove funzionalità che possano migliorare l’esperienza utente sui dispositivi mobile del domani.
La CPU Snapdragon 835 offrirà un chip più piccolo, offrendo ai produttori la possibilità di usare lo spazio per batterie più ampie – o di assottigliare ancor di più il design dei propri dispositivi. Questo tipo di revisione, insieme ai miglioramenti visti poc’anzi, porterà significativi benefici in termini di efficienza energetica.
Lo Snapdragon 835 è attualmente in produzione e comparirà sul mercato a partire dai dispositivi prodotti durante la prima metà del 2017.
Contestualmente Samsung ha inoltre presentato la nuova tecnologia Qualcomm QuickCharge 4.0, che promette sino a 5 ore di autonomia dopo una ricarica da 5 minuti; secondo quanto dichiarato dal produttore, la ricarica sarà il 20% più veloce ed il 30% più efficiente rispetto alla precedente tecnologia ed integrerà anche i connettori USB Type-C ed il supporto USB-PD.
